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2SK3799(Q)

更新时间:2024-10-24 01:33:08
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  • 典型栅极电荷@Vgs:60 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:2200 pF V @ 25
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:4.5mm
  • 封装类型:SC-67,TO-220SIS
  • 尺寸:10 x 4.5 x 8.1mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:50000 mW
  • 最大栅源电压:±30 V
  • 最大漏源电压:900 V
  • 最大漏源电阻值:1.3
  • 最大连续漏极电流:8 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:10mm
  • 高度:8.1mm

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