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              2SK3816-DL-1E
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2SK3816-DL-1E

更新时间:2024-11-24 22:10:48
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2SK3816-DL-1E的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK3816-DL-1E外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1780 pF @ 20 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.65W（Ta），50W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：TO-263-2
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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