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2N3792

更新时间:2024-11-22 01:09:38
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  • 其它信息：

    10.0A/80V

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  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：10 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：50
  • 最大工作频率：4 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-3
  • 封装：Sleeve
  • 集电极连续电流：10 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：150 W
  • 工厂包装数量：20
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