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              AOTF11C60
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AOTF11C60

更新时间:2024-11-28 04:57:04
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AOTF11C60的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2010 pF @ 50 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220F
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
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