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              AOTF11S65L
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AOTF11S65L

更新时间:2024-11-28 02:51:45
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AOTF11S65L外观图

  • 大小：300KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：aMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：399 毫欧 @ 5.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：13.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：646pF @ 100V
  • 功率 - 最大：31W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220F
  • 包装：管件
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