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              APT80SM120B
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APT80SM120B

更新时间:2024-11-23 08:05:26
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APT80SM120B的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT80SM120B外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：散装
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 40A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：235 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）：+25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：555W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247
  • 封装/外壳：TO-247-3
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