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              APT9F100B
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APT9F100B

更新时间:2024-11-23 08:25:14
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APT9F100B的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT9F100B外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：POWER MOS 8™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2606pF @ 25V
  • 功率 - 最大：337W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247 [B]
  • 包装：管件
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