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              APT9M100S
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APT9M100S

更新时间:2024-11-25 21:33:38
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APT9M100S的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT9M100S外观图

  • 现有数量：448现货
  • 价格：1 : ￥47.22000管件
  • 系列：POWER MOS 8?
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2605 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：335W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：D3PAK
  • 封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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