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              APTC60DAM24T1G
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APTC60DAM24T1G

更新时间:2024-11-03 14:08:32
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  • 标准包装：1
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：95A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 47.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.9V @ 5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：14400pF @ 25V
  • 功率 - 最大：462W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP1
  • 供应商设备封装：SP1
  • 包装：散装
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