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BSZ0803LSATMA1

更新时间:2024-11-24 21:40:38
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MMJT9435T1LM311DSTM32L152RBT6LMC660AIMRK3188IMX1T110DS14C232CMMCP2515-I/SO
BSZ0803LSATMA1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSZ0803LSATMA1外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：1 : ￥11.53000剪切带（CT）5,000 : ￥4.63955卷带（TR）
  • 系列：OptiMOS? 5
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：不适用于新设计
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），40A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 23μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 50 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），52W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8 FL
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
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