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BSZ086P03NS3E G

更新时间:2024-11-24 21:53:09
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BSZ086P03NS3E G外观图

  • 数据列表：BSZ086P03NS3E G
  • 标准包装：5,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.6 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.9V @ 105µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：57.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4785pF @ 15V
  • 功率 - 最大：69W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSZ086P03NS3E G-NDSP000473016
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