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BSZ088N03MS G

更新时间:2024-11-24 22:01:06
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BSZ088N03MS G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：11 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0088 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSDSON-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：2.4 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.1 W
  • 上升时间：3 ns
  • 典型关闭延迟时间：18 ns
  • 零件号别名：BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGXT SP000311509
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