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              BSZ0901NSIATMA1
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BSZ0901NSIATMA1

更新时间:2024-11-24 21:44:18
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BSZ0901NSIATMA1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSZ0901NSIATMA1外观图

  • 现有数量：10,000现货
  • 价格：1 : ￥12.16000剪切带（CT）5,000 : ￥4.89379卷带（TR）
  • 系列：OptiMOS?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Ta），40A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600 pF @ 15 V
  • FET 功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
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