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BSZ100N03LSG

更新时间:2024-11-24 22:23:04
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BSZ100N03LSG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSZ100N03LSG外观图

  • 数据列表：BSZ100N03LS G
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单路
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)：1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：BSZ100N03LSGINCT
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