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BSZ110N06NS3 G

更新时间:2024-11-24 21:46:33
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BSZ110N06NS3 G外观图

  • 数据列表：BSZ110N06NS3GBSZ110N06NS3 G
  • 标准包装：5,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 23µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2700pF @ 30V
  • 功率 - 最大：50W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSZ110N06NS3GBSZ110N06NS3GINTRSP000453676
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