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              C3M0016120D
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C3M0016120D

更新时间:2024-11-26 23:23:21
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MTSF3N02HDR2MAX6501UKP105+TP6KE250AAQV101ATPD12S521DBTR74HCT244DBNJM386DBP2808
C3M0016120D的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

C3M0016120D外观图

  • 现有数量：1,808现货
  • 价格：1 : ￥652.37000管件
  • 系列：C3M?
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22.3 毫欧 @ 75A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 23mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：207 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）：+15V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6085 pF @ 1000 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：556W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247-3
  • 封装/外壳：TO-247-3
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