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              C3M0120100K
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C3M0120100K

更新时间:2024-11-26 23:12:32
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SI7682DP-T1-E3SN74CBTLV3126PWRSSM6N7002FUATMEGA16L-8PUPNX7862ELRN1407BD9132MUV-E2W25Q16DWZPIM
C3M0120100K的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

C3M0120100K外观图

  • 现有数量：2,737现货
  • 价格：1 : ￥109.55000管件
  • 系列：C3M?
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：155 毫欧 @ 15A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21.5 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）：±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：350 pF @ 600 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247-4L
  • 封装/外壳：TO-247-4
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