品牌：Diodes Incorporated
描述：MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
包装：3000/标准卷带
属性：
FET 类型：2 N-通道（双）； FET 功能：标准； 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Tc）； 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 7A，10V； 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA； 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：9.5nC @ 4.5V； 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1184pF @ 15V； 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）； 安装类型：表面贴装型； 封装/外壳：8-PowerVDFN； 供应商器件封装：PowerDI3333-8；