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              DRA3114E0L
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DRA3114E0L

更新时间:2024-11-04 13:11:05
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DRA3114E0L外观图

  • 大小：130KB
  • 厂家：
  • 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
  • 数据列表：DRA3114E View All Specifications
  • 标准包装：10,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：100mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-723
  • 供应商设备封装：SSSMini3-F2-B
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DRA3114E0L-ND
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