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              IRFR2605
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IRFR2605

更新时间:2024-11-23 21:01:35
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IRFR2605外观图

  • 大小：162.55KB
  • 厂家：
  • 描述：HEXFET? Power MOSFET
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：HEXFET?
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 11A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：D-Pak
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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