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IXFH32N100X

更新时间:2024-11-08 04:35:49
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IXFH32N100X外观图

  • 现有数量:70现货
  • 价格:1 : ¥178.32000管件
  • 系列:HiPerFET?, Ultra X
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):220 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):130 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4075 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):890W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247
  • 封装/外壳:TO-247-3
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