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              IXTA18P10T
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IXTA18P10T

更新时间:2024-11-25 01:03:09
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IXTA18P10T外观图

  • 大小：181KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchP™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：120 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2100pF @ 25V
  • 功率 - 最大：83W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263AA
  • 包装：管件
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