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              IXTA1R6N50D2
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IXTA1R6N50D2

更新时间:2024-11-19 15:26:25
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IXTA1R6N50D2外观图

  • 大小：180.61KB
  • 厂家：IXYS
  • 描述：Depletion Mode MOSFET
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.3 欧姆 @ 800mA，0V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：23.7nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：645pF @ 25V
  • 功率 - 最大：100W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA
  • 供应商设备封装：TO-263AA
  • 包装：管件
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