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              IXTP6N100D2
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IXTP6N100D2

更新时间:2024-11-28 22:55:44
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IXTP6N100D2外观图

  • 大小：177KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 欧姆 @ 3A，0V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：95nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2650pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
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