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K8D6316UTM-YI08

更新时间:2024-10-19 20:20:39

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其它信息：

单电压：VCC＝2.7～3.6V(读/写操作电压)；结构：8388608×8位/4194304×16位(字模式)；快速读存取时间：70ns；编程/擦除操作时读；双Bank体系结构：Bank1/Bank2：16M位/48M位；安全码块：额外的64KB块；功率消耗(典型值5MHz时)：读电流：14mA,编程/擦除电流：15mA,编程时读或擦除时读电流：25mA,待机模式/自动睡眠模式：10μA； WP/ACC输人引脚：在VIL时允许2个最外层的启动区特殊保护,与块保护状态无关；在VIH时删除2个最外层的启动区特殊保护,2个块恢复正常块保护状态；在VHH1时编程时间：9μs/字；擦除暂停/恢复；解锁旁路编程；硬件RESET脚引脚；控制存储器操作；块组保护/非保护；支持通用的 Flash存储器接口；工业级温度：－40～85℃； 100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间；封装：48引脚的TSOP、TBGA和FEGA封装；工作温度范围：工业级温度－40～85℃；存取时间：80ns
引脚图：

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