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K8D6316UTM

更新时间:2024-11-29 01:48:39
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K8D6316UTM 相关资料
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    单电压:VCC=2.7~3.6V(读/写操作电压); 结构:8388608×8位/4194304×16位(字模式); 快速读存取时间:70ns; 编程/擦除操作时读; 双Bank体系结构:Bank1/Bank2:16M位/48M位;安全码块:额外的64KB块; 功率消耗(典型值5MHz时):读电流:14mA,编程/擦除电流:15mA,编程时读或擦除时读电流:25mA,待机模式/自动睡眠模式:10μA; WP/ACC输人引脚:在VIL时允许2个最外层的启动区特殊保护,与块保护状态无关;在VIH时删除2个最外层的启动区特殊保护,2个块恢复正常块保护状态; 在VHH1时编程时间:9μs/字; 擦除暂停/恢复; 解锁旁路编程; 硬件RESET脚引脚; 控制存储器操作; 块组保护/非保护; 支持通用的 Flash存储器接口; 工业级温度:-40~85℃; 100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 封装:48引脚的TSOP、TBGA和FEGA和FEGA封装

  • 引脚图:

    K8D6316UTM引脚图

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