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              NTMD3P03R2G
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NTMD3P03R2G

更新时间:2024-11-26 00:53:49
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NTMD3P03R2G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTMD3P03R2G外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.34A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：85 毫欧 @ 3.05A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：750pF @ 24V
  • 功率 - 最大：730mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTMD3P03R2GOSNTMD3P03R2GOS-NDNTMD3P03R2GOSTR
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