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NTMFS5C645NT1G

更新时间:2024-11-23 00:00:10
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NTMFS5C645NT1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTMFS5C645NT1G外观图

  • 现有数量：1,477现货
  • 价格：1 : ￥23.77000剪切带（CT）1,500 : ￥12.54092卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），94A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20.4 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1510 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），80W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
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