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PXN8R3-30QLJ

更新时间:2024-11-27 12:34:30
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PXN8R3-30QLJ外观图

  • 现有数量：1,193现货
  • 价格：1 : ￥4.45000剪切带（CT）3,000 : ￥1.57254卷带（TR）
  • 系列：TrenchMOS?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.4A（Ta），31A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.3 毫欧 @ 11.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.9 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：760 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：MLPAK33
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
PXN8R3-30QLJ推荐型号

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