品牌：ON Semiconductor
描述：MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
包装：70/管件
属性：
FET 类型：P 通道；  技术：MOSFET（金属氧化物）；  漏源电压（Vdss）：200V；  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.1A（Tc）；  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V；  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V；  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA；  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：19nC @ 10V；  Vgs（最大值）：±30V；  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：540pF @ 25V；  功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），30W（Tc）；  安装类型：通孔；  供应商器件封装：I-PAK；  封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；