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              SH8M70TB1
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SH8M70TB1

更新时间:2024-11-29 01:29:00
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SH8M70TB1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SH8M70TB1外观图

  • 特色产品：ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A，2.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.63 欧姆 @ 1.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：180pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SH8M70TB1TR
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