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              SH8MA4TB1
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SH8MA4TB1

更新时间:2024-11-25 08:33:30
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SH8MA4TB1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SH8MA4TB1外观图

  • 现有数量：6,808现货
  • 价格：1 : ￥9.70000剪切带（CT）2,500 : ￥4.10190卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：N 和 P 沟道
  • FET 功能：-
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），8.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：21.4mOhm @ 9A，10V，29.6mOhm @ 8.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V，19.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：640pF @ 15V，890pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：2W（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOP
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