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              SI1499DH-T1-E3
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SI1499DH-T1-E3

更新时间:2024-11-05 18:15:24
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SI1499DH-T1-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI1499DH-T1-E3外观图

  • 数据列表：SI1499DH
  • 特色产品：MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：78 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：800mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：650pF @ 4V
  • 功率 - 最大：2.78W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-70-6
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：SI1499DH-T1-E3DKR
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