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              SIHG039N60E-GE3
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SIHG039N60E-GE3

更新时间:2024-11-27 18:09:23
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SIHG039N60E-GE3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SIHG039N60E-GE3外观图

  • 现有数量：406现货
  • 价格：1 : ￥88.56000管件
  • 系列：E
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：63A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 32A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：126 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4369 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247AC
  • 封装/外壳：TO-247-3
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