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              SIS424DN-T1-GE3
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SIS424DN-T1-GE3

更新时间:2024-10-24 10:05:15
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  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.4 毫欧 @ 19.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 10V
  • 功率 - 最大：39W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
  • 包装：带卷 (TR)
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