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              SIS184DN-T1-GE3
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SIS184DN-T1-GE3

更新时间:2024-11-25 00:50:17
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SIS184DN-T1-GE3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SIS184DN-T1-GE3外观图

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥11.69000剪切带（CT）3,000 : ￥4.97020卷带（TR）
  • 系列：TrenchFET? Gen IV
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17.4A（Ta），65.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.8 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1490 pF @ 30 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），52W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
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