品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
包装：3000/标准卷带
属性：
FET 类型：N 通道；  技术：MOSFET（金属氧化物）；  漏源电压（Vdss）：30V；  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Ta）；  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V；  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 8A，10V；  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA；  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：34nC @ 10V；  Vgs（最大值）：±20V；  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1970pF @ 10V；  功率耗散（最大值）：1W（Ta）；  工作温度：150°C（TJ）；  安装类型：表面贴装型；  供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）；  封装/外壳：8-SOIC（0.173\\"，4.40mm 宽）；