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AO6422

更新时间:2024-11-22 12:31:15
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  • AO6601[技术参数]标准包装：1 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 阵列 系列：- FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30VAO6602[技术参数]标准包装：1 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 阵列 系列：- FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 3.1A, 10VAO6602L[技术参数]标准包装：1 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 阵列 系列：- FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30VAO6604[技术参数]标准包装：1 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 阵列 系列：- FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：20VAO649259 AO649880 AO657028 AO6601L AO6603 AO6603L AO6604L AO6605 AO6605L AO660601 AO6680L AO6700 AO6700L AO6701 AO6701L AO6702 AO6702\G2GD AO6702L AO6704 AO6704L
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