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              APT50M80B2VRG
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APT50M80B2VRG

更新时间:2024-11-22 18:18:37
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APT50M80B2VRG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT50M80B2VRG外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：POWER MOS V®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：58A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 29A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：423nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：8797pF @ 25V
  • 功率 - 最大：625W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装：T-MAX? [B2]
  • 包装：管件
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