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              AT28BV64-30SI
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AT28BV64-30SI

更新时间:2024-11-21 16:15:25
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AT28BV64-30SI 相关资料

  • 其它信息：

    2.7～3.6V工作电压范围：满读和写操作；低功耗：正常工作时电流：8mA，CMOS待机电流：50μA；读取时间：300ns；字节写时间：3ms；直接微机控制：DATA轮询；READY/BUSY开漏输出；高可靠性CMOS技术：100000次循环擦写周期，10年数据保留时间；商业级和工业级温度范围；工作温度范围：工业级温度－40～85℃；存取时间：300ns

  • 引脚图：

    AT28BV64-30SI引脚图

AT28BV64-30SI的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AT28BV64-30SI外观图

  • 标准包装：27
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：存储器
  • 系列：-
  • 格式 - 存储器：EEPROMs - 并行
  • 存储器类型：EEPROM
  • 存储容量：64K (8K x 8)
  • 速度：300ns
  • 接口：并联
  • 电源电压：2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 供应商设备封装：28-SOIC W
  • 包装：管件
  • 其它名称：AT28BV6430SI
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