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AT49BV163DT

更新时间:2024-11-23 07:28:59
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  • 其它信息：

    单电压读/写：2.65～3.6V读/写；存取时间为70ns；扇区擦除架构：63个32K字（64KB）主扇区具有独立的写入封锁，8个4K字（8KB）扇区具有独立的写入封锁；快速字编程时间：10μs；典型的扇区擦除时间：100ms；暂停/恢复功能用作擦除和编程：通过不同扇区的暂停擦除，从任何扇区支持读/编程数据，通过任何其他字节/字暂停程序，在非暂停扇区支持读任何字节/字；低功率操作：10mA工作电流，15μA待机电流；Data轮询，触发位，Ready/Busy用于程序检测的结束；RESET输入用作设备初始化；提供顶部或底部启动区块配置；128位保护寄存器；最小100000擦除周期；共用的Flash接口（CFI）

  • 引脚图：

    AT49BV163DT引脚图

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  • 大小：843.63KB
  • 厂家：ATMEL
  • 描述：16-megabit (1M x 16/2M x 8) 3-volt Only Flash Memory
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