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其它信息:
单电压操作:5V读,5V再编程;快速读存取时间为90ns;内部编程控制和计时器;扇区架构:1个8K字(16KB)启动区块,具有程序闭锁,2个8K字(16KB)参数区块,1个488K字(976KB)主存储阵列区块;快速擦除周期时间为10s;按字顺序排列的编程为50μs/字;硬件数据保护 低功耗:50mA工作电流; 300μA CMOS待机电流;Data轮询用作程序结束检测;典型的10000次写入周期;工业级温度范围:-40~85℃; tACC(ns):90
引脚图: