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              BC856BDW1T3G
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BC856BDW1T3G

更新时间:2024-11-16 15:08:33
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BC856BDW1T3G外观图

  • 大小：298KB
  • 厂家：
  • 描述：TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
  • 标准包装：10,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：220 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：380mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)
BC856BDW1T3G 相关信息
  • BC856BDW1T3G的技术参数
    产品型号:BC856BDW1T3G类型:双PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大值(dB):475最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):SOT-363/-55~150价格/1片(套):￥.40 来源:零八我的爱
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