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              BC858BWT1G
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BC858BWT1G

更新时间:2024-11-23 20:46:31
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TDA2822MTLP521-1Z0405MFFR307RB520S-30 FJTE61ME6206A28XGSRDA05-6PDZ22B
BC858BWT1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BC858BWT1G外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：220 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）
  • 包装：带卷 (TR)
BC858BWT1G 相关信息
  • BC858BWT1G的技术参数
    产品型号:BC858BWT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):450最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):SOT-323/-55~150价格/1片(套):￥.20 来源:零八我的爱
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