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BF1211

更新时间:2024-11-22 12:30:41
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  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：N-channel dual-gate MOS-FETs
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  • BF1211WR[技术参数]制造商：NXP 产品种类：MOSFET 晶体管极性：N-Channel 汲极/源极击穿电压：6 V 闸/源击穿电压：6 V 漏极连续电流：0.03 ABF1211WR,115[技术参数]标准包装：1 类别：分离式半导体产品 家庭：RF FET 系列：- 晶体管类型：N 通道双门 频率：400MHz 增益：29dBBF1212,215[技术参数]标准包装：1 类别：分离式半导体产品 家庭：RF FET 系列：- 晶体管类型：N 通道双门 频率：400MHz 增益：30dBBF1501[相关信息]...子是为数不多的从功率器件开始切入的企业。自２００３年开始致力于集成电路及功率器件开发以来，比亚迪微电子立足于自主研发，结合欧美先进技术，成功开发多款具有世界先进水平的功率器件，多款产品已经获得包括诺基亚、三星在内的多家国际知名公司的认证和批量使用。 在本次展览中，比亚迪微电子的半导体产品以模拟/功率器件为主，包括IGBT、DC-DC、AC-DC等一系列电源管理产品系列以及多... BF1212 BF-1212-12SV-Y70 BF1212R BF1212WR BF1214 BF1216 BF122 BF-12C22-19SV-Y103 BF130 BF131 BF132 BF133 BF134 BF136 BF137 BF138 BF140 BF140A BF140D BF140S
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