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BSP322P L6327

更新时间:2024-11-26 09:14:47
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BSP322P L6327的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSP322P L6327外观图

  • 数据列表：BSP322
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：SIPMOS®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫欧 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 380µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：16.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：372pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：PG-SOT223-4
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SP000212229
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