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BSR802N L6327

更新时间:2024-11-23 02:50:30
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BSR802N L6327的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSR802N L6327外观图

  • 数据列表：BSR802N
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：750mV @ 30µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.7nC @ 2.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1447pF @ 10V
  • 功率 - 最大：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：PG-SC-59
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSR802N L6327-NDBSR802N L6327INTRSP000442484
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