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              BSS209PW
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BSS209PW

更新时间:2024-11-23 21:35:26
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BSS209PW的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSS209PW外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：OptiMOS?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：580mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 580mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 3.5μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.38 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：89.9 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：520mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-SOT323
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
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