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              BUB323ZT4G
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BUB323ZT4G

更新时间:2024-10-22 15:53:18
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BUB323ZT4G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BUB323ZT4G外观图

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.7V @ 250mA，10A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：500 @ 5A，4.6V
  • 功率 - 最大：150W
  • 频率 - 转换：2MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BUB323ZT4GOSBUB323ZT4GOS-NDBUB323ZT4GOSTR
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