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BSM25GD120DN2E3224

更新时间:2024-11-22 15:42:54
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  • 上海硅威科技有限公司

  • BSM25GD120DN2E3224

  • 优势

  • 6055

  • Infineon

  • -/22+

  • 全新原装进口 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年

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  • 其它信息：

    35.0A/1.2KV

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BSM25GD120DN2E3224外观图

  • 制造商：Infineon
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流：35 A
  • 栅极—射极漏泄电流：180 nA
  • 功率耗散：200 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：EconoPACK 2
  • 封装：Reel
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Screw
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